特征工艺尺寸对CMOS SRAM 抗单粒子翻转性能的影响

• 作者: 何宝平 姚志斌 张凤祁 张科营 王园明 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 特征尺寸 临界电荷 LET阈值 单粒子翻转 CMOS SRAM
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 215-219
• 分类号: O57
• 语种: 中文

摘要

采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因.研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	姚志斌		35	171	8.0	10.0
6	张科营		23	111	7.0	8.0
7	王园明		10	51	4.0	7.0