温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响

• 作者: 何安林 刘建成 史淑廷 吴振宇 惠宁 李丽丽 池雅庆 沈东军 范辉 蔡莉 覃英参 郭刚
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 重离子 单粒子效应 单粒子翻转 温度效应 空间错误率预估 静态随机存储器
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 750-755
• 页数: 6页
• 分类号: O571.91
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.youxian.0420

摘要

本文研究了 215～353 K温度范围内商用4M 0.15 μm;薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU) 截面随温度的变化.实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升 区,SEU截面随温度的升高而增加.使用Space Radiation 7. 0软件研究了温度对其空间错误率预估的 影响,模拟结果显示.SEU截面随温度的变化改变了 SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET 阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果.