65 nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估

• 作者: 何安林 刘建成 史淑廷 沈东军 郭刚
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 质子单粒子翻转 空间辐射环境 错误率预估
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 366-372
• 页数: 7页
• 分类号: TL99
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2018.youxian.0020

摘要

质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一.本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究.针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率.错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1％～86％,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建成	中国原子能科学研究院核物理研究所	28	107	6.0	9.0
2	郭刚	中国原子能科学研究院核物理研究所	34	65	4.0	7.0
3	何安林	中国原子能科学研究院核物理研究所	5	6	2.0	2.0
4	沈东军	中国原子能科学研究院核物理研究所	8	6	2.0	2.0
5	史淑廷	中国原子能科学研究院核物理研究所	7	5	2.0	2.0