原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
提出了一种基于NIOS Ⅱ的异步SRAM单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论.
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文献信息
篇名 一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 存储器 单粒子翻转 嵌入式系统 可编程逻辑门阵列
年,卷(期) 2014,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 92-95
页数 分类号 TP302.8
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 岳素格 28 96 5.0 8.0
2 郑宏超 16 23 2.0 4.0
3 董攀 6 9 2.0 2.0
4 陈莉明 4 2 1.0 1.0
5 陈茂鑫 3 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
存储器
单粒子翻转
嵌入式系统
可编程逻辑门阵列
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
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59060
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