一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现

• 作者: 岳素格 董攀 郑宏超 陈茂鑫 陈莉明
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 存储器 单粒子翻转 嵌入式系统 可编程逻辑门阵列
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 页码范围: 92-95
• 分类号: TP302.8
• 语种: 中文

摘要

提出了一种基于NIOS Ⅱ的异步SRAM单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳素格		28	96	5.0	8.0
2	郑宏超		16	23	2.0	4.0
3	董攀		6	9	2.0	2.0
4	陈莉明		4	2	1.0	1.0
5	陈茂鑫		3	1	1.0	1.0