一种用于评估抗辐射DSP单粒子翻转的试验方法

• 作者: 刘建成 史淑廷 王月玲 薛海卫 郭刚 雷志军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子翻转 试验方法 抗辐射加固 DSP
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

本文提出了评估DSP电路单粒子翻转效应的试验方法,该方法包含单独静态检测SRAM、通过CPU读取内部寄存器和功能检测等三种方式.根据该方法,设计了DSP电路的单粒子翻转检测软件系统和硬件检测系统,并在HI-13串列重离子加速器上进行了单粒子翻转验证试验,获得了待测DSP器件的地面模拟翻转率数据.利用在轨错误率计算软件,计算出在标准辐照注量(1.0E+7 icons/cm2)下电路的SEU在轨软错误率约为1.8E-12错误/位天(GEO,等效3 mmAl屏蔽),运用该方法可以较好的评估DSP电路的单粒子翻转性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛海卫	中国电子科技集团公司第五十八研究所	12	23	3.0	4.0
2	刘建成		28	107	6.0	9.0
3	王月玲	中国电子科技集团公司第五十八研究所	8	28	4.0	5.0
4	郭刚		34	65	4.0	7.0
5	史淑廷		7	5	2.0	2.0
6	雷志军	中国电子科技集团公司第五十八研究所	3	0	0.0	0.0