IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究

• 作者: 刘建成 曹洲 杨世宇 田恺 薛玉雄 郭刚
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: IDT6116 SRAM 单粒子翻转 单粒子锁定 脉冲激光 重离子 252Cf源
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 快报
• 页码范围: 22-27
• 页数: 6页
• 分类号: TL632.2
• 语种: 中文

摘要

为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和 252 Cf源 3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究.研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛玉雄	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	20	181	9.0	12.0
2	曹洲	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	19	181	9.0	12.0
3	杨世宇	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	17	161	9.0	11.0
4	刘建成	中国原子能科学研究院核物理研究所	28	107	6.0	9.0
5	田恺	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	15	120	7.0	10.0
6	郭刚	中国原子能科学研究院核物理研究所	34	65	4.0	7.0