SiC器件单粒子效应敏感性分析

• 作者: 于庆奎 吕贺 唐民 孙毅 张洪伟 曹爽 李晓亮 李鹏伟 梅博 王贺
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 碳化硅 空间 航天器 辐射效应 单粒子效应 单粒子烧毁
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 2114-2119
• 页数: 6页
• 分类号: TN406|V416.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2019.53.10.2114

摘要

新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiC MOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析.重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起漏电流增加,甚至单粒子烧毁.SiCMOSFET和SiC二极管试验结果类似.试验结果表明SiC器件抗单粒子能力弱,与器件类型关系不大,与SiC材料有关.为了满足空间应用需求,有必要进一步开展SiC器件辐射效应机理、试验方法和器件加固技术等研究.