电路逻辑单元单粒子效应敏感性研究

• 作者: 何伟 刘思恺 杨道宁 胡助理 邓伟 邢克飞
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 时序逻辑单元 组合逻辑单元单元 单粒子效应 翻转截面 重离子实验 加固设计
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 285-289
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 字数: 2269字
• 语种: 中文

摘要

介绍了时序逻辑单元和组合逻辑单元发生单粒子效应的机理,以反熔丝型FPGA芯片ActelA54SX32A为实验对象,设计了3种典型的链电路系统.在中国原子能科学院HI-13串列静电加速器上采用Br离子对电路进行辐照实验,在频率为20 MHz的条件下,3个链电路的翻转截面分别约为3.268×10-3 cm2,7.449×10-4 cm2和3.988×10-4 cm2.实验结果验证了在0.22 μm工艺条件下,时序逻辑单元比组合逻辑单元更加敏感,并且在包含两者的电路中,组合逻辑单元会屏蔽部分单粒子效应.最后,针对电路中不同逻辑单元,给出了两种加固方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡助理	国防科技大学机电工程与自动化学院	14	42	3.0	6.0
2	何伟	国防科技大学机电工程与自动化学院	4	16	3.0	4.0
3	邢克飞	国防科技大学机电工程与自动化学院	14	92	5.0	9.0
4	刘思恺	国防科技大学机电工程与自动化学院	1	3	1.0	1.0
5	杨道宁	国防科技大学机电工程与自动化学院	1	3	1.0	1.0
6	邓伟	国防科技大学机电工程与自动化学院	4	7	2.0	2.0