现代应用物理期刊
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现代应用物理

Modern Applie Physics

CSTPCD

影响因子 0.3632
主办单位:
西北核技术研究所 国防工业出版社
ISSN:
2095-6223
CN:
61-1491/O4
出版周期:
季刊
邮编:
710024
地址:
西安市69信箱15分箱
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  • 作者: 周磊簜 陈亮 卢星 欧阳晓平
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  1-19
    摘要: 超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有击穿电场强度、本征载流子浓度低和抗辐照性能良好等特性,且易于商业化生产,是在高性能核辐射探测器领域中应用的研究热点.本文介绍了 Ga2O3半导体材料的物...
  • 作者: 商鹏 黄流兴 牛胜利 左应红 朱金辉
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  20-25,74
    摘要: 为模拟核爆炸中子在爆区地面产生的感生放射性辐射环境,基于蒙特卡罗方法提出了一种两步计算方法,实现了中子输运-核素活化-光子辐射-剂量探测的多过程一体化精细模拟.利用蒙特卡罗方法模拟计算给出了...
  • 作者: 刘利 左应红 牛胜利 朱金辉 商鹏 李夏至
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  26-33,55
    摘要: 针对利用蒙特卡罗方法直接模拟计算中子及次级γ在高空大气中大空间长距离输运时遇到的有效粒子数太少、计算时间长及计算误差大等问题,建立了中子及次级γ在高空非均匀大气输运的几何模型,模拟了瞬发中子...
  • 作者: 张玲玉 李瑞 李刚 付元光 邓力
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  34-40
    摘要: 针对传统的组合几何的建模及粒子输运方式不能满足复杂几何复杂输运、大尺度场景长程输运和高精度高分辨率统计计数等问题,基于 自主研发的蒙特卡罗粒子输运软件JMCT,开展了基于组合几何与 自定义网...
  • 作者: 张斯龙 何世熠 陈亮 高润龙 赵括 欧阳晓平 周建斌 李洋
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  41-47
    摘要: 能谱处理算法是提升探测系统能量分辨率的重要方法之一.其中,种子局部平均(seeded localized averaging,SLA)算法是一种比较新颖的处理算法,采用平均计算的方式对多个道...
  • 作者: 麻旭 刘应都 鲍杰 陈启明 张凯 任杰 阮锡超 郭刚 欧阳晓平
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  48-55
    摘要: 利用蒙特卡罗方法,基于100 MeV质子回旋加速器,开展了白光中子束线设计和中子束线参数研究.利用FLUKA程序模拟了 100 MeV质子束轰击钨靶产生的中子能谱和注量.结果表明,散裂反应产...
  • 作者: 朱效庆 荀涛 王朗宁 楚旭 杨汉武 张建德 贺军涛 张军
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  56-61
    摘要: 针对单管光导微波放大器效率低的问题,提出了 一种推挽型光导微波放大电路并分析了电效率.理论计算了占空比为30%的高斯波形激光作为输入信号时,微波放大电路的电效率随光导器件最小导通电阻的变化关...
  • 作者: 王旭桐 郭景海 王文兵 苗建国 王一雄 周一夫
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  62-67
    摘要: 为研究含有贯通导体的开孔屏蔽腔体内部的屏蔽效能,将屏蔽腔体简化为内含栓形障碍物的波导,采用传输线理论,建立了平面波照射下腔体电场屏蔽效能的等效电路模型.利用传输线方法计算了内含栓性障碍物腔体...
  • 作者: 刘岩 陈伟 王忠明 王茂成 王迪 刘卧龙 王百川 杨业 姚志斌 郭晓强 王晨辉 白小燕
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  75-82
    摘要: 为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制,基于栅控电荷分离方法,对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效应的差异,并对质子辐照后的长期退火特征进行了分析.通过对栅...
  • 作者: 杨帆 卯江江 陈丽婷 茆亚南 张晓阳 彭乃卫 王铁山 彭海波
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  83-89,104
    摘要: 在深地质处置过程中,玻璃固化体受到核废料中放射性核素的辐照,稳定性会受到影响,进而影响玻璃固化体对放射性核素的固化效果.本文使用γ射线辐照硼硅酸盐玻璃,吸收剂量为104~107 Gy,采用紫...
  • 作者: 闫晓宇 胡培培 艾文思 翟鹏飞 赵培雄 李宗臻 刘杰
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  90-104
    摘要: 针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了 SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单...
  • 作者: 李同德 赵元富 王亮 舒磊 苑靖爽 黄昊 王维
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  105-109
    摘要: 随着工艺的进步,由单粒子瞬态(single event transient,SET)导致的软错误占比越来越高,因此,针对SET的加固十分重要.组合逻辑电路中由辐射导致的脉冲宽度分布特征成为纳...
  • 作者: 苑靖爽 赵元富 王亮 李同德 孙雨 朱永钦
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  110-115
    摘要: 为提高28nm体硅工艺下的触发器的抗SEU能力,针对28 nm集成电路的版图空间布局加固技术进行了研究,基于敏感节点对分离和电荷补偿原理,设计了 2种抗辐射加固触发器版图结构.同时设计了 3...
  • 作者: 张龙涛 曹艳荣 任晨 马毛旦 吕航航 吕玲 郑雪峰 马晓华
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  116-124
    摘要: 利用SILVACO TCAD软件构建了 28 nm MOSFET器件的3维结构,创建了单粒子的迁移率和载流子等仿真物理模型,仿真模拟了重离子入射位置、LET值、入射角度及器件的漏极掺杂浓度、...
  • 作者: 张宏涛 曹艳荣 王敏 任晨 张龙涛 吕玲 郑雪峰 马晓华
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  125-128,179
    摘要: 使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了 PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的电学参数并验证了退化程度.仿真结果表明,PMO...
  • 作者: 孙雨 赵元富 岳素格 王亮 李同德 苑靖爽 于春青
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  129-134
    摘要: 基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位...
  • 作者: 韩源源 程旭 韩军 曾晓洋
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  135-142,171
    摘要: 提出一种12T结构的抗单粒子翻转和多节点翻转的SRAM存储单元,通过功能和电荷注入仿真研究该单元结构的读写性能和抗单粒子翻转的能力.研究结果表明:提出的PSQ-12T存储单元的面积为0.95...
  • 作者: 王定洪 王坦 丁李利 陈伟 张凤祁 徐静妍 罗尹虹
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  143-151
    摘要: 基于一种综合考虑有源区形状尺寸、重离子轰击位置、电路响应反馈、双极放大电荷收集等因素的电路级单粒子效应仿真方法,开展了 180 nm工艺下不同驱动能力反相器的单粒子效应敏感性研究.研究结果表...
  • 作者: 马武英 张鹏飞 陈伟 姚志斌 丛培天 何宝平 董观涛
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  152-156
    摘要: 采用X射线作为辐射源开展总剂效应实验是一种可行有效的总剂量效应研究手段.本文首先简要介绍项目组搭建的一台基于10 keV X射线的总剂量效应实验平台的基本组成和各模块功能,并给出了 10 k...
  • 作者: 谭驰誉 李炎 程旭 韩军 曾晓洋
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  157-163,171
    摘要: 探讨了工艺差异对组合电路软错误评估的影响,研究了工艺差异对通用高效率三模冗余(general efficiency triple modular redundancy,GE-TMR)与门尺寸...
  • 作者: 缑石龙 马武英 姚志斌 何宝平 盛江坤 王祖军 薛院院
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  164-171
    摘要: 以栅控横向PNP(gate-controlled lateral PNP,GCLPNP)晶体管为载体,开展了在不同浓度氢氛围中的辐照实验,研究了氢气对双极器件总剂量辐射效应的影响规律.并利用...
  • 作者: 任晨 曹艳荣 张龙涛 吕航航 马毛旦 吕玲 郑雪峰
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  172-179
    摘要: 利用Silvaco TCAD软件,研究了电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响.构建了 28nmNMOSFET3维仿真模型...
  • 作者: 何宝平 马武英 王祖军 姚志斌 缑石龙
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  180-185
    摘要: 通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综...
  • 作者: 卢文力 孙浩瀚 郭刚 陈雅 张艳文 刘建成 钟向丽
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  186-192
    摘要: 建立了可用于器件单粒子效应(single event effect,SEE)敏感区定位的离子诱导光子发射显微镜(ion photon emission microscopy,IPEM)实验方...
  • 作者:
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  封2
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 现代应用物理
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  封3
    摘要:

现代应用物理基本信息

刊名 现代应用物理 主编 邱爱慈
曾用名
主办单位 西北核技术研究所 国防工业出版社  主管单位 西北核技术研究所
出版周期 季刊 语种
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ISSN 2095-6223 CN 61-1491/O4
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