原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
本文提出了针对抗辐射加固超大规模集成电路内部存储单元的单粒子翻转效应仿真方法,通过设计存储单元的单粒子翻转传播因子算法,可以模拟单粒子翻转在目标电路内部存储单元的产生、传播、掩蔽和捕获等过程,并预估对整体电路单粒子翻转截面的贡献.在此基础上开发了自动提取统计的仿真软件,开展了存储器内建自测试、典型功能模式下的重离子试验,仿真和试验结果具有相同的变化规律,误差小于1个数量级,表明该方法具有较高的仿真精度,可以应用于大规模集成电路的单粒子效应仿真.
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文献信息
篇名 一种超大规模集成电路内部存储单元单粒子效应仿真评估方法
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 单粒子翻转 超大规模集成电路 存储器 仿真
年,卷(期) 2019,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 96-100
页数 5页 分类号 TP302.8
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 简贵胄 8 8 1.0 2.0
2 郑宏超 16 23 2.0 4.0
3 初飞 3 2 1.0 1.0
7 李月 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子翻转
超大规模集成电路
存储器
仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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59060
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