超大规模集成电路金属互连线的电迁移过程指示参量研究

• 作者: 庄奕琪 徐卓 杜磊 薛丽君
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 噪声点功率谱幅值 电迁移 金属互连 超大规模集成电路
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 页码范围: 1062-1065
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2002.10.018

摘要

通过实验研究分阶段全面描述金属互连电迁移过程的参量集合,发现了电阻和金属薄膜电阻的低频涨落在金属互连电迁移演化过程中的变化规律.实验结果表明,将电阻与金属薄膜电阻的低频涨落点功率谱幅值及频率指数3个指示参数相结合,可以明确指示和区分电迁移过程中材料的空位扩散、空洞成核和空洞长大3个微观结构变化的阶段.上述3个参量作为一个集合才能够全面表征金属薄膜电迁移退化的过程,在此基础上可望发展新的超大规模集成电路(VLSI)电迁移可靠性评估技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学技术物理学院	183	1168	15.0	22.0
2	徐卓	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	106	610	13.0	18.0
3	薛丽君	西安电子科技大学技术物理学院	7	27	4.0	5.0
4	杜磊	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	3	19	2.0	3.0