28 nm超大规模FPGA的BRAM单粒子效应测试方法研究

• 作者: 刘宇翔 张战刚 恩云飞 杨凯歌 雷志锋 黄云
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 现场可编程门阵列 单粒子效应 块随机读取存储器 敏感位定位 测试方法
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性与环境试验技术及评价
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2017.05.001

摘要

为了建立一种28 nm工艺超大规模SRAM型FPGA块随机读取存储器(BRAM:Block Random Access Memory)模块的单粒子效应测试方法,实现敏感位的精确定位,通过研究逻辑位置文件和回读文件,建立了敏感位和FPGA逻辑地址的对应机制,推导出了对应的关系公式,并提出了一组针对BRAM模块的系统测试方法.该方法大幅度地提高了现有测试方法的效果,并且为器件失效机理的分析和下一步的器件加固设计提供了指导.