累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究

• 作者: 丁李利 张凤祁 张科营 王燕萍 罗尹虹 肖尧 范雪 赵雯 郭红霞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 累积剂量 单粒子效应 静态随机存储器 反印记效应
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 018501-1-018501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.018501

摘要

本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory, SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM 器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理。研究表明,随着累积剂量的增加, SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致“反印记效应”。研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持。