65 nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究

• 作者: 刘建成 史淑廷 惠宁 李丽丽 池雅庆 蔡莉 郭刚 韩金华
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 多位翻转 静态随机存储器 三阱 双极效应 重离子
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 909-915
• 页数: 7页
• 分类号: TN99
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.51.05.0909

摘要

利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65 nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析.结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积.多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源.结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭刚	中国原子能科学研究院核物理研究所	34	65	4.0	7.0
2	史淑廷	中国原子能科学研究院核物理研究所	7	5	2.0	2.0
3	蔡莉	中国原子能科学研究院核物理研究所	3	1	1.0	1.0
4	李丽丽	中国原子能科学研究院核物理研究所	1	0	0.0	0.0
5	池雅庆	中国原子能科学研究院核物理研究所	1	0	0.0	0.0
6	刘建成		2	51	1.0	2.0
7	惠宁	中国原子能科学研究院核物理研究所	1	0	0.0	0.0