65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究

• 作者: 刘夏杰 史淑廷 吕永红 惠宁 李丽丽 李坤锋 汪栋 蔡莉 郭刚
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 多位翻转 静态随机存储器 双阱 电荷共享 重离子 微束实验
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1326-1334
• 页数: 9页
• 分类号: TN99
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.youxian.0577

摘要

利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行深入分析.结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率.