中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

• 作者: 刘岩 杨善潮 林东生 王桂珍 郭晓强 金军山 陈伟 齐超
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 翻转效应 翻转阈值 中子辐照 SRAM
• 年，卷（期）: 2014,（Z1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 723-726
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.S0.0723

摘要

对0.15 μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比.结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因.