静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟

• 作者: 周辉 李永宏 贺朝会 郭红霞 陈雨生
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 单粒子翻转 线性能量传输 电荷漏斗模型
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 快报
• 页码范围: 508-512
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2003.06.007

摘要

采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算.对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性.通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7.73×10-14 C.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周辉		84	938	16.0	26.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	李永宏		6	86	4.0	6.0
4	陈雨生		36	433	11.0	19.0
5	贺朝会		16	193	8.0	13.0