静态随机存储器单粒子翻转的Monte Carlo模拟

• 作者: 李华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SRAM单粒子翻转 Monte Carlo模拟 能量沉积
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3540-3545
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.057

摘要

利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对10-20MeV中子在静态随机存储器(SRAM)中引起的单粒子翻转进行了模拟,着重对中子在SRAM灵敏区引起的电离能量沉积进行了计算,并对中子引起单粒子翻转过程相关物理量进行了计算.这些计算模拟结果为了解10-20MeV中子引起SRAM单粒子翻转过程提供了详细的统计信息,为SRAM的抗辐射加固提供相关参考信息.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华	暨南大学物理系	34	140	7.0	10.0