一种用于ASIC内部存储器单粒子翻转效应评估的方法

• 作者: 初飞 岳素格 王亮 简贵胄 郑宏超
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: ASIC SRAM SEU MBIST
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TP302.8
• 语种: 中文

摘要

本文提出了利用存储器内建自测试(MBIST)进行专用集成电路(ASIC)内部存储器的单粒子翻转(SEU)检测方法,研究并制定了MBIST的单粒子有效性辐照注量的统计方案,最后在重离子加速器上应用该方法进行了单粒子试验验证.通过与相同结构的存储器SEU结果的对比分析,结果表明,MBIST在有效辐照注量(1.27E+7icons/cm2)下,与存储器在标准辐照注量(1E+ 7icons/cm2)下获得的SEU在轨错误率误差小于2倍,运用MBIST方法可以方便、准确地用于评估ASIC的存储器SEU性能指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简贵胄		8	8	1.0	2.0
2	岳素格		28	96	5.0	8.0
3	王亮		9	31	3.0	5.0
4	郑宏超		16	23	2.0	4.0
5	初飞		3	2	1.0	1.0