应用α源评估静态存储器的软错误

• 作者: 任学明 夏春梅 张卫卫 李晓林 杨秀培 王宏全 肖江波 褚俊 贺朝会
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: α源 静态存储器 软错误
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 页码范围: 192-195
• 页数: 4页
• 分类号: TL99|TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2006.z1.044

摘要

存储器的软错误直接关系到产品的可靠性,为比较3种器件的抗软错误能力,实验测量了3种静态存储器(SRAM)的单粒子翻转错误数,计算了单粒子翻转截面和失效率.从单粒子翻转截面角度讲,A166M器件抗α粒子的能力最好,其次为B166M,最差是B200M.从失效率的角度讲,B166M的平均失效率比B200M的小,且两者都比A166M的小.