14 MeV 中子引发 SRAM 器件单粒子效应实验研究

• 作者: 何安林 刘建成 史淑廷 惠宁 沈东军 王贵良 范辉 蔡莉 赵芳 郭刚 陈泉 陈红涛
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 高压倍加器 SRAM 单粒子效应 截面
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 171-175
• 页数: 5页
• 分类号: O571.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2015.49.01.0171

摘要

在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM 器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法，获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致，验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致，对实验结果给出了定性的解释。