功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟

• 作者: 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 功率MOS器件 单粒子栅穿 PSPICE电路模拟
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 161-165
• 页数: 5页
• 分类号: TL99
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.02.014

摘要

建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析,模拟结果与文献中的实验数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	王燕萍		11	66	6.0	7.0
3	耿斌		10	60	6.0	7.0
4	陈晓华		11	87	6.0	9.0