一种高性能快速关断型槽栅 MOS 器件

• 作者: 樊冬冬 汪志刚
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 金属场板 巴利加优值 栅漏电容 氧化槽
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 40-43,47
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

提出了一种高性能快速关断型槽栅 MOA 器件．与常规型器件相比，这种新型器件在氧化槽内引入了两个垂直场板，这不仅使得器件在漂移区内引入了两个新的电场峰值，增大了器件的击穿电压 BV，而且使得器件垂直漏场板周围形成了一层浓度更大的积累层，降低了导通电阻．故提高了器件的巴利加优值 FOM．由于这种新型器件纵向栅、漏场板之间存在的垂直场板使得影响器件开关速度的栅漏电容值部分转化为器件的栅源电容以及漏源电容．结果分析表明：氧化槽宽度为1．7μm、漂移区浓度为2．3×1015 cm－3时这个新型器件巴利加优值 FOM 提升了84．8％，栅漏电荷QGD提升了26．8％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊冬冬	西南交通大学信息科学与技术学院	3	6	2.0	2.0
2	汪志刚	西南交通大学信息科学与技术学院	2	6	2.0	2.0