一种提高Power VDMOSFET栅电荷性能的新结构

• 作者: 魏麟
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: VDMOSFET 导通电阻 栅电荷 优值 模拟
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 页码范围: 141-143
• 页数: 3页
• 分类号: TN6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.08.038

摘要

文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷(Qg)的新结构,通过二维数值模拟:相对于常规VDMOSFET,该结构将栅电荷降低42.93%,器件优值(FOM=Qg*Ron)降低37.05%.我们分析了新结构的主要特性,并与常规VDMOSFET进行了比较和参数优化分析.