基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究

• 作者: 冉峰 徐志平 沈伟星 程东方
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 低压沟槽MOSFET 栅-漏电荷 模拟 器件与工艺计算机辅助设计
• 年，卷（期）: 2007,（26）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 297-299
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.26.118

摘要

对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数.本文利用数值模拟软件TCAD(器件与工艺计算机辅助设计),研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冉峰	上海大学微电子研究与开发中心	107	529	10.0	18.0
2	程东方	上海大学微电子研究与开发中心	18	112	6.0	10.0
3	沈伟星	上海大学微电子研究与开发中心	8	21	3.0	4.0
4	徐志平	上海大学微电子研究与开发中心	9	61	4.0	7.0