考虑可移动电荷的双栅隧穿场效应晶体管电流模型

• 作者: 关云鹤 孟庆之 张也非 李尊朝
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 隧穿场效应晶体管 可移动电荷 表面势 漏电流 解析模型
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 38-44
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201608007

摘要

为了解决隧穿场效应晶体管(TFET)在强反型区表面势和漏电流精度下降的问题,建立了一种考虑可移动电荷影响的双栅TFET电流模型.首先求解考虑可移动电荷贡献的二维电势泊松方程,推导出表面势、电场的解析表达式;然后利用求得的电场表达式和Kane模型得到载流子的隧穿产生率;最后利用切线近似法计算隧穿产生率在隧穿区域的积分,建立了漏电流的简洁解析模型.利用器件数值仿真软件Sentaurus在不同器件参数下对所建模型进行了验证,仿真结果表明:考虑可移动电荷的影响能够提高强反型区漏电流模型的精度;在相同器件参数条件下,考虑可移动电荷的模型比忽略可移动电荷的模型精度提高了20％以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李尊朝	西安交通大学电子与信息工程学院	31	275	8.0	16.0
2	孟庆之	西安交通大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
3	关云鹤	西安交通大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
4	张也非	西安交通大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0