部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型

• 作者: 张莉丽 李尊朝 王闯 罗诚 苗治聪
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 部分耗尽 异质环栅 金属氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 50-54,109
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201312009

摘要

为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型.异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产生电场峰值,降低漏端电场,并屏蔽漏压对最小表面势的影响.通过为沟道耗尽层各区建立柱坐标下电势泊松方程和相应的边界条件方程,采用径向抛物线近似对偏微分方程进行降维和解析求解技术,获得了DMSG结构的解析模型.仿真结果表明,与传统的部分耗尽环栅器件相比,DMSG结构载流子传输效率高,短沟道效应、漏致势垒降低效应和热载流子效应抑制能力强;所建解析模型与数值仿真软件的相对误差小于5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李尊朝	西安交通大学电子与信息工程学院	31	275	8.0	16.0
2	张莉丽	西安交通大学电子与信息工程学院	7	32	3.0	5.0
3	罗诚	西安交通大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
4	王闯	西安交通大学电子与信息工程学院	16	58	5.0	7.0
5	苗治聪	西安交通大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0