WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制

• 作者: 王嘉蓉
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 硅N沟场效应晶体管 增强型 功率器件
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 消费电子
• 页码范围: 87-88,90
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2002.09.036

摘要

介绍了研制WVP1N06硅N沟增强型功率场效应管的设计及基本工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王嘉蓉		2	9	1.0	2.0