一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管

• 作者: 关云鹤 孟庆之 张也非 李尊朝 骆东旭
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 隧穿 场效应晶体管 平均亚阈值斜率 隧穿势垒
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 68-72,123
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201602012

摘要

针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究.在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构.该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比.仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10-13 A,开关电流比高达1010,平均亚阈值斜率为27 mV/dec,漏致势垒降低效应值为126.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李尊朝	西安交通大学电子与信息工程学院	31	275	8.0	16.0
2	孟庆之	西安交通大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
3	关云鹤	西安交通大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
4	张也非	西安交通大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
5	骆东旭	西安交通大学软件学院	1	2	1.0	1.0