基于石墨烯异质结的隧穿场效应管研究

• 作者: 封路 王晶 王高峰
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 隧穿场效应管 石墨烯异质结 开态电流 亚阈值摆幅
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2019.01.004

摘要

为解决现有隧穿场效应管(TFET)开态电流相对较低的问题,设计一种以石墨烯异质结为导电沟道的新型T FET器件.根据石墨烯条带导电性与边缘形状相关这一特性,设计一种带隙可变的石墨烯异质结,用作TFET的导电沟道,调控器件的开关态电流.使用NanoTCAD ViDES仿真软件进行研究,结果表明:新型T FET器件的开态电流达到6.3μA,关态电流达到3.2×10-10 A,亚阈值摆幅降至45.6 mV/dec.相比一般石墨烯材料的TFET,开态电流提升了70％,拥有更好的开关特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王高峰	杭州电子科技大学电子信息学院	11	30	3.0	5.0
2	王晶	杭州电子科技大学电子信息学院	3	14	2.0	3.0
3	封路	杭州电子科技大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0