原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
建立了单栅石墨烯场效应晶体管处于栅氧化层界面平整时的电流模型,在此基础上分析氧化层界面粗糙度对源漏电流的影响.研究表明:粗糙界面会导致源漏电流有所下降;且粗糙度越大,源漏电流下降越多.
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文献信息
篇名 表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 石墨烯 场效应晶体管 表面粗糙 电流
年,卷(期) 2012,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 154-156
页数 分类号 TN389
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 毛凌锋 苏州大学电子信息学院 14 28 3.0 4.0
2 陈智 苏州大学电子信息学院 7 29 4.0 5.0
3 王子欧 苏州大学电子信息学院 20 58 4.0 6.0
4 李亦清 苏州大学电子信息学院 3 13 3.0 3.0
5 李有忠 苏州大学电子信息学院 6 21 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
石墨烯
场效应晶体管
表面粗糙
电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
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