氧化铟纳米线场效应晶体管制备及其电学性能

• 作者: 曹焕琦 朱长军 王安祥
• 来源期刊: 纺织高校基础科学学报
• 关键词: 氧化铟 纳米线 场效应晶体管 迁移率 阈值电压
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 基础科学
• 页码范围: 446-451
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.13338/j.issn.1006-8341.2018.04.010

摘要

为获得大量高质量、且尺寸均一的氧化铟纳米线,以高纯度氧化铟粉末与石墨粉末的混合物为原材料,利用化学气相沉积法制备出尺寸约50 nm的氧化铟纳米线.分别以二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)材料作为栅极绝缘层,计算分析其构筑的场效应晶体管的电学性能(迁移率、阈值电压、开关比等).对比3种场效应晶体管可知以氮化硅为栅绝缘层材料,提升器件电学性能是最直接也是效果最显著的.其器件的电学性能优于其它2种.其器件的迁移率高达149 cm2·V-1·s-1,器件的开关比高达107.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长军	西安工程大学理学院	51	110	5.0	8.0
2	王安祥	西安工程大学理学院	39	198	7.0	13.0
3	曹焕琦	西安工程大学理学院	1	2	1.0	1.0