SnO 2纳米线基场效应晶体管的电学性能研究

• 作者: 拜颖乾 李伟 毛红梅 郭军
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2纳米线 晶体管 Sb掺杂 电学性能 栅电压 功耗
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2362字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.04.012

摘要

基于气-液-固生长机理和原位掺杂技术，成功制备了2%（质量分数）Sb掺杂SnO 2纳米线，所制器件可以在低压环境下工作且不受栅漏电的影响；将该纳米线作为场效应晶体管的沟道，分析了不同比例的Sb掺杂对晶体管电学性能参数的影响。结果显示：Sb质量分数由0.5%增加到2.5%时，随着Sb掺杂量的增大，晶体管的稳定性增强，但栅电压的调控能力减弱，晶体管功耗增大且对空穴和电子的迁移能力减弱。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛红梅		34	105	6.0	8.0
2	李伟		69	647	13.0	24.0
3	郭军		13	11	2.0	2.0
4	拜颖乾		12	24	2.0	4.0