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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 对形成室温单电子现象的典型串联双隧道结结构模型利用温克布(WKB)三氏法求解薛定谔方程,计算了其隧穿电流与偏压的关系.利用该方法对CdS纳米粒子自组装体系在室温下的I-V特性进行了计算机模拟...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 研究金属端帽及压电陶瓷的形状参数对压电复合执行器Cymbal压电性能的影响.Cymbal执行器由在厚度方向极化的压电陶瓷片(PZT-5A)夹在两个薄的黄铜端帽之间,每一个端帽的内表面都有一个...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法,用醋酸锶、钛酸丁酯、乙醇铌作为前驱体,用旋涂法制备掺铌钛酸锶多晶薄膜.用醋酸作为醋酸锶溶剂,并用丙三醇作为辅助溶剂,溶胶浓度及黏度均可在较大范围内调节.经600℃热处理后薄...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜,其晶粒尺寸为1.1 μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效.拉曼光谱分析表明0.30 J/cm2晶化的薄膜结晶程度已...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 介绍一种工作电解液配方的计算机辅助设计系统WEDS,包括其系统特点、功能模块组成及主要方法原理.并给出了一个该系统的使用实例.试验表明这是一个十分有效、实用的电解液配方辅助设计.
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6. 对称单微隙放电管刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 研制了一种具有对称结构的单微隙放电管,研究了它的电特性.结果表明这种对称微隙放电管的耐冲击电流能力大于1 500 A、极间电容小于1 pF、冲击击穿电压约400 V.它可以克服非对称单微隙放...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 铝电解电容器阳极箔的腐蚀生产线上,主腐蚀槽槽液的流量是一个关键控制量.根据法拉第电解定律,定量地阐述了主腐蚀槽槽液流量的控制方法.结合实际情况,讨论了该控制方法的局限性和有效性.
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 研制低压、宽温、长寿命电解电容器中,以选择电解液和提高封口工艺质量作为关键.通过选择优质的阳极箔和阴极箔,适当加厚橡胶塞,加长铝梗,束腰位置设在橡胶塞1/2处,并用X光检查封口质量,选择高效...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 通过热力学平衡的方法,研究BaTiO3系陶瓷PTCR元件进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐-镍离子、甘氨酸-镍离子和柠檬酸盐-镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布.实验表明,加入络...
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10. 半导体p+n型气体传感器原理刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 半导体p+n型气体传感器是基于气体传感器互补增强和互补反馈原理的一种新结构的气体传感器.理论分析表明,基于该工作原理,传感器的灵敏度、选择性、热稳定性及抗湿干扰的能力可以得到很大的改善.
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 研究了银粉对银浆的分散及稳定性的影响,对浆料中粒子间的作用进行了探讨,找出了影响超细银粉在有机载体中分散的若干关键因素.根据对银粉团聚程度的分析和银浆流变学行为研究的结果,以及对有机介质链接...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 分析了烧成和热处理工艺中可能导致ZnO压敏元件非线性特性异常的因素,如炉温不匀、温度梯度太大,降温时间太长,炉道通风流量过大等.试验证明,在900～1 050℃下,对非线性特性劣化的ZnO压...
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13. 改进工艺提高薄膜附着力刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 薄膜制作技术在混合集成电路中扮演十分重要的角色.附着力的强弱是影响薄膜电路质量最关键的因素.通过实验,查明了膜系结构、金属相间扩散、溅射金属化气氛、清洗等方面导致薄膜起层的原因,并选择出最佳...
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14. 军用陀螺专用混合集成电路刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 阐述了HIC281军用陀螺专用混合集成电路的工作原理、设计思想、采用的工艺及关键技术.采用PCB双面布线和SMT技术,提高了集成度;合理的热设计及电感性负载能力的改善,提高了产品的稳定性及可...
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15. 用于制备浆料的超细镍粉刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 本研究采用化学还原法制备一种能用于微电子工业制备电子浆料和电池行业生产电池的高分散超细镍粉.其比表面积为1.7～5.0 m2/g,平均粒径小于0.4 μm,松装密度小于0.89 g/cm3,...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 在世纪之交时,结合世界电子元件发展总趋势,对我国电子元件工业发展提出了新的要求,也指出了新世纪初的三个难得的机遇:①移动通信业的国产化率大幅度增长;②计算机市场的高速增长;③片式元件及相关技...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 综述了大容量、高储能密度的新型电容器--电化学电容器的原理、结构、特点及国内外的研究进展.目前,已有电化学电容器用于计算机备用电源、信号灯电源及需要大电流充放电的电源系统.
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18. 双电层电容器发展现状及前景刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 分别介绍了目前生产双电层电容器有代表性的日本Tokin公司、NEC公司、松下公司、ELNA公司和俄罗斯以及我国大庆华隆公司的典型产品的性能特点.论述了高等效串联电阻、中等效串联电阻及大功率双...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要： 综述了TCO(透明导电氧化物)薄膜研究开发的历史与现状,展望了产业化前景.传统的ITO薄膜性能优异,是重要的平面显示器件用材料.新型ZnO薄膜成本低廉,极具发展潜力,有望在太阳能电池领域取代...
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20. 台湾电子元件技术考察刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年1期页码:摘要：
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21. AlN基片氧化及金属化刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 研究了AlN陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响.在800℃、1 000℃、1 200℃和1 400℃下对AlN基片进行了高温处理,并用XRD和SEM分析了氧化结果.从1 200℃开始,基片表...
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22. 玻璃基板用电子浆料刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 钠钙视窗玻璃电气性能与氧化铝陶瓷相当,成本低,是厚膜基片廉价材料.用Ru2Pb2O6和Ru2Bi2O7作导电相,硼硅酸铅系添加碳酸钠作玻璃料配制的钌系电阻浆料,与钠钙玻璃有较好的匹配性.烧成...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 利用干涉法、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等方法分析sol-gel法制备的KTN(钽铌酸钾)薄膜,详细分析讨论gel膜制备及热处理过程各因素对薄膜厚度及均匀性的影响.结果表明...
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24. XN-1 防电磁干扰腻子研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 针对电子设备需求,进行了防电磁干扰腻子的设计、组分选择及性能等研究.所研制的XN-1防电磁干扰腻子对多频段电磁波具有较强的衰减隔离作用,并具有良好的物理性能,可防止电磁波泄漏、干扰和反射.
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 用硫酸钛与草酸按比例配合,析出草酸氧钛酸晶体,将其洗涤后在750～820℃焙烧,因草酸氧钛酸分解时,其分子中较大部分成分以气体:CO2、CO、水蒸气形式挥发到空气中,从而固态产物成为纳米级的...
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26. HIC天线前置放大器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： HIC同轴天线前置放大器具有体积小、重量轻、可靠性高等特点,可用于民用和工业设备及军事装备中.介绍了该放大器的设计思想、技术指标、特性、关键制作技术、结构及制作工艺.
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 采用平面丝网印刷技术制备不同厚度的SnO2厚膜气敏试样,在不同温度下进行热处理后,测量试样对乙醇气体的灵敏度,研究热处理温度及敏感膜厚度等对元件性能的影响.结果表明,热处理温度和膜厚的均匀性...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 国产薄膜电容器自动分选机随着电容器技术的发展而不断更新换代.薄膜电容器分选机经历了XF10、XF10B、XF10D到XF10E的发展过程.构想的新一代分选机是竖装履带式分选机.
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30. 铁电场效应晶体管刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2000年2期页码:摘要： 介绍了铁电场效应晶体管(FFET)的基本结构、存储机制、制作方法,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在FFET中应用的进展情况,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对FFE...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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