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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 根据共面紧凑型光子晶体的原理和 HFSS 仿真结果设计了禁带位于超宽带(UWB,3.1 ～ 10.6 GHz)范围的EBG(电磁波带隙)结构,然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出了设计...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 在850℃下制备了Zr掺杂CaO-B2O3-SiO2( CBS)微晶玻璃.采用Rietveld全谱拟合法分析了所制微晶玻璃中各结晶相的相对含量,以及分峰法计算得到微晶玻璃的结晶度,从而分析出...
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3. 信息动态刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 采用熔炼-高能球磨-微氧化-晶化热处理的工艺,按照质量比(∫)(Nd:Fe:Si:B)=8.24:(86.64-x):x:4.12(x =0,1,3,7)制备了NdFeSiB磁粉,借助X射线...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 采用固相烧结法制备了BaO-La2O3-nTiO2(n=3,4,5和6,BLT)微波介质陶瓷.研究了TiO2含量以及添加Bi2O3和SrTiO3对所制BLT陶瓷的微观结构及介电性能的影响.结...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 为了改善有机半导体材料CuPc的气敏性能,采用溶液法制备了含有不同量ZnO的CuPc/ZnO杂化材料.利用SEM、XRD等测试手段对所制CuPc/ZnO杂化材料进行了表征,并研究了其气敏性能...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对Z...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 利用溶胶-凝胶法成功合成了Cu2+掺杂改性的HoCoO3纳米材料.经X射线粉末衍射(XRD)仪和扫描电镜( SEM)表征后发现,所得HoCoO3纳米材料具有纯相的钙钛矿结构,其晶粒粒径为50...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 采用机械研磨工艺制备了片状羰基铁粉,并以此制备了羰基铁粉复合材料.研究了研磨时间对羰基铁粉复合材料电磁性能的影响,并对羰基铁粉吸波涂层进行了优化设计.结果表明:当研磨时间小于12h时,随着研...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 研究了PTC(正温度系数陶瓷热敏电阻)电极浆料用超细银粉制备过程中温度和分散剂对泡沫高度的影响,探讨了几种消泡方法的优劣.结果表明,高温时,反应热聚集会造成液体局部沸腾,使泡沫高度增加；添加...
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11. 压扁型低噪声金属化电容器工艺研讨刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 针对压扁型金属化电容器特别是交流和滤波场合使用的电容器存在较大噪声的问题,通过研究聚丙烯薄膜的热传导规律和热收缩特性,总结出不同厚度电容器的最佳热压时间和热聚合条件.结果表明:选择100～1...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 采用液相沉淀法制备了膨胀石墨(EG)质量分数为40％的氧化镍/膨胀石墨(NiO/EG)复合物,研究了该复合物电化学性能.结果表明:纳米NiO均匀分散在EG表面；导电性良好的EG显著提高了Ni...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 为了研究具有传感功能的可变电容器,采用新型介电弹性体材料制成平行板电容器.研究了该电容器充放电前后的外形变化及影响电容大小的因素.结果表明:在高压充放电前后,电容器的极板面积和两电极板间距离...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 针对超宽带系统易受窄带信号干扰的问题,设计了一种新颖的基于金属开口谐振环(SRR)结构的平面超宽带陷波天线.在天线的辐射贴片上加载U形缝隙,实现了其陷波特性.利用仿真软件研究了U形缝隙的物理...
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15. 封装基板过孔电特性建模方法刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于电路二端口网络理论,建立了过孔电学特性等效电路模型,给出了模型参数的提取过程.在分析比较物理模型和经验模型两种不同的模型参数提取方法及其优缺点的基础上,给出了过孔高频特性的经验模型及其模...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 新开发了G-SAC105和G-SAC0307两种低银无铅焊膏,对其进行了板级封装的工艺适应性研究.结果表明,在(25±5)℃和120℃环境下,两种焊膏塌落度均为0.15 mm,在150℃环境...
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17. 宇航元器件极限评估试验剖面设计刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 宇航元器件极限评估是一种新的可靠性评价技术,其目的是评价电子元器件的极限能力,以适应航天对电子元器件的高可靠性要求.介绍了极限评估和极限评估试验,提出了极限评估试验剖面设计的一般原则,给出了...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 利用高精度X射线检测设备分别对用Sn37Pb焊膏和Sn3.0Ag0.SCu焊膏组装的高密度LED灯板进行焊后和老化后的微空洞检测,观察了焊点的微空洞缺陷,并计算微空洞尺寸.结果表明:老化前微...
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19. 圆片级封装的研究进展刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 圆片级封装( wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速.概述了WLP技术近几年的主要发展.首先回顾标准WLP结构,并从焊球结...
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20. 锡基钎料与铜界面IMC的研究进展刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 对国内外电子封装“锡基钎料/铜基板”焊点体系界面IMC形成与生长机理的研究进展进行了回顾、评述,重点阐述了界面IMC的形成与生长行为、形成热力学和生长动力学,简要评述了相关因素对界面IMC生...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 介绍了三种具有较高热导率的碳纳米材料:碳纳米管、纳米石墨片及纳米碳纤维的结构与导热性能,概述了三种碳纳米材料在改善聚合物复合材料导热性能方面的应用,重点分析了碳纳米材料的种类、用量、表面改性...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年1期页码:摘要： A4B3O12型B位缺位六方钙钛矿陶瓷是一类新型性能可调的中等介电常数微波介电陶瓷,有望在现代移动通讯系统基站中得到应用.在介绍A4B3O12型钙钛矿陶瓷的结构特征和系列端元化合物微波介电性...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用固相反应法制备了(Zn,Mg)TiO3 (ZMT)微波介质陶瓷,研究分别添加CaTiO3和BaLiBSi对ZMT陶瓷介电性能的影响.结果表明:CaTiO3和BaLiBSi均能调节ZMT陶...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Li2ZnTi3O8陶瓷.研究了H3BO3掺杂量对所制Li2ZnTi3O8 陶瓷的烧结特性、相成分、微观结构以及微波介电性能的影响.结果表明:H3...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用固相法、非匀相沉淀法、喷雾干燥法三种不同方法,对掺杂Nd、Y、Mn的BaTiO3表面包裹Al2O3,研究了包裹Al2O3对BaTiO3基陶瓷的微观形貌、介电常数、介电非线性、容温变化率的...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用液相掺杂及低温固相反应法制备了Bi掺杂BaTiO3纳米晶体,然后经烧结制得了Bi掺杂BaTiO3基PTC陶瓷.分析了所制Bi掺杂BaTiO3晶体的物相、晶粒大小及微结构,研究了烧结条件对...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 为了在低于1 400℃的烧结温度下获得相对密度高于95％的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷,将粒径不同的YSZ粉体球磨混合成双粒径组分粉体,采用流延成型工艺制得生坯并分别在1 350,1 40...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用氧化铝作支撑材料制备了一种新型结构的极限电流型氧传感器.该传感器经由氧化铝粉和8YSZ粉分别压片并烧结成瓷,再经厚膜丝网印刷及叠压共烧制成.在温度为973 K(700℃)、氧体积分数为1...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 以高导电纳米碳黑为导电填料,甲基乙烯基硅橡胶为基材,制备出了硅橡胶压阻材料,并对其电性能和力学性能进行了表征.研究了碳黑用量对硅橡胶压阻材料电性能、压缩应力松弛性能以及电阻蠕变性能的影响.结...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni95W5(Ni-5W)合金基底上外延生长了LaMnO3(LMO)薄膜作为涂层导体缓冲层,研究了沉积温度对LMO薄膜生长织构和表面形貌的影响.研究结果表明:...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
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| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
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期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
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