空气对InAs纳米线场效应晶体管性能的影响

• 作者: 付梦琦 张昕彤 李星 杨涛 王小耶 陈清
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs纳米线 纳米器件 电学特性 气敏
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 585-590
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2015.013

摘要

制备基于单根InAs纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的电学特性.与真空中的结果相比,空气中器件的阈值电压向正栅压方向偏移,关态电流上升,开关比下降.空气的主要成分氮气对器件性能没有可分辨的影响;氧气的影响很弱;水汽使关态电流上升,开关比下降,但使阈值电压向负栅压方向偏移.研究表明,大气污染成分二氧化氮使器件的阈值电压向正栅压方向偏移,开关比不变.研究结果表明,空气对器件性能的影响是水汽和二氧化氮共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨涛	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	132	1269	18.0	32.0
2	王小耶	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	1	1	1.0	1.0