基于环栅纳米线隧穿场效应晶体管的解析模型

• 作者: 何媛 刘晓彦 王骏成 魏康亮
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿晶体管 解析模型 低功耗 亚阈值斜率
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 786-790
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2014.101

摘要

对环栅纳米线结构的隧穿场效应晶体管进行建模分析,给出电流解析模型,证明隧穿场效应管有良好的亚阈特性.研究发现,环栅纳米线隧穿场效应管的亚阈值斜率SS的大小与圆柱体硅直径dnw、环栅氧化层厚度tox以及漏电压Vdd的变化规律均成正比,即圆柱体硅直径dnw、环栅氧化层厚度tox和漏电压Vdd越小,亚阈区的性能越好.这一模型的研究为场效应晶体管在低功耗电路中的应用打下良好基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学信息科学技术学院微电子学研究院	41	268	9.0	15.0
2	何媛	北京大学深圳研究生院	1	0	0.0	0.0
6	王骏成	北京大学信息科学技术学院微电子学研究院	1	0	0.0	0.0
7	魏康亮	北京大学信息科学技术学院微电子学研究院	1	0	0.0	0.0