多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模

• 作者: 吴为敬 李斌 李树花
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 带间隧穿效应 泄漏区
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域--栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度对BBT电流的影响,最后提出了一个适用于多晶硅薄膜晶体管泄漏区的带间隧穿电流模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	吴为敬	华南理工大学微电子研究所	24	74	4.0	7.0
3	李树花	华南理工大学微电子研究所	2	4	2.0	2.0