金属氧化物薄膜晶体管最新研究进展

• 作者: 姚奇 李玉庆 王春兰 韩莎 高博
• 来源期刊: 纺织高校基础科学学报
• 关键词: 薄膜晶体管 金属氧化物 高迁移率 显示器 低温多晶硅 非晶硅 半导体材料
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 基础科学
• 页码范围: 438-445
• 页数: 8页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13338/j.issn.1006-8341.2018.04.009

摘要

薄膜晶体管(TFTs)为满足高性能平板显示器的发展需求,正经历着快速增长的态势,同时其应用也扩大到新型透明电子和功能型电子领域.基于大量文献和研究工作,阐述金属氧化物TFTs的发展历程,非晶硅、低温多晶硅以及有机物等半导体材料TFTs的研究现状,重点论述基于单一或多元金属组分以及复合纳米结构的高性能氧化物TFTs的关键性结构和迁移率.认为新型复合纳米结构的氧化物TFTs不仅在很大范围内影响现有的电子器件,而且也将应用于新型的显示、存储以及通信等重要领域.这些新型薄膜材料以及薄膜电子器件未来将会在超越传统薄膜电子领域呈现全新的局面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春兰	西安工程大学理学院	7	14	2.0	3.0
2	李玉庆	西安工程大学理学院	1	1	1.0	1.0
3	韩莎	西安工程大学理学院	1	1	1.0	1.0
4	姚奇	西安工程大学理学院	1	1	1.0	1.0
5	高博	西安工程大学理学院	3	1	1.0	1.0