低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究

• 作者: 刘子龙 李远洁 江凯
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 薄膜晶体管 非晶铟镓锌氧化物 输运特性 磁控溅射沉积
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 1-5,18
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.7652/xjtuxb201512001

摘要

在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顸栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响.研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120:20时,获得了4.8×105的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2 V/dec,饱和迁移率达到11 cm2/(V·s).沟道层氧气流量为2 cm3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30 min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×103的开关电流比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江凯	西安交通大学电子与信息工程学院	4	21	2.0	4.0
5	李远洁	西安交通大学电子与信息工程学院	5	11	2.0	3.0
9	刘子龙	西安交通大学电子与信息工程学院	1	2	1.0	1.0