多晶硅薄膜晶体管kink效应的建模

• 作者: 李斌 陈婷
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 kink效应 面电荷 倍增因子
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 222-224,228
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.2
• 语种: 中文

摘要

从kink效应产生的物理机理出发,介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法.一种是基于面电荷的方法,另一种是基于求雪崩倍增因子的方法.kink效应具体表现为器件在饱和区跨导和漏电流的显著增加.在数字电路中,kink效应会引起功耗的增加和开关特性的退化;而在模拟电路中,kink效应将降低最大增益和共模抑制比.因此,多晶硅薄膜晶体管kink效应的研究对液晶显示的发展具有重大意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	陈婷	华南理工大学微电子研究所	7	21	3.0	4.0