多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型

• 作者: 邓婉玲
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 栅漏电容 栅源电容 模型
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 178-182
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20112602.0178

摘要

多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大.基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究.对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓婉玲	暨南大学信息科学技术学院电子工程系	12	16	3.0	3.0