多晶硅薄膜晶体管亚阈值区准二维模型

• 作者: 吴为敬
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 亚阈值 准二维
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 523-526
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.013

摘要

从准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型.由表面势方程及亚阈值电流方程求得包含陷阱态和晶粒尺寸的亚阈值斜率解析表达式.模型具有简明的表达式,并且在大晶粒和低陷阱态情形下可简化为传统长沟道MOSFET亚阈值区模型.仿真结果与试验数据符合得很好,验证了模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴为敬	华南理工大学材料科学与工程学院	24	74	4.0	7.0