沟道层带尾态密度和厚度对a-IGZO薄膜晶体管特性影响的数值仿真

• 作者: 李玲 孟令国 辛倩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 尾态密度 沟道厚度 仿真
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与工艺
• 页码范围: 95-100
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.19304/J.ISSN1000-7180.2021.0336

摘要

建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor, 简称TFT)的仿真模型，仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZO TFTs特性的影响规律.研究结果表明，当半导体层带尾态密度增加到1.5×1019 cm-3·eV-1及以上时，器件电学特性受深陷阱态影响劣化，亚阈值摆幅增加；沟道层薄膜厚度较小(＜40 nm)时，器件的转移特性良好，当沟道层薄膜厚度超过40 nm时，器件的电学特性劣化，关态电流增加，开关比降低，亚阈值摆幅增加.本工作数值仿真分析方法可为设计制备IGZO TFTs提供一定的理论基础和实验指导.