同步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管电势模型研究

• 作者: 于天宝 廖聪维 覃婷 邓联文 黄生祥
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双栅薄膜晶体管 氧化铟镓锌 沟道电势 解析模型
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 297-304
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.097101

摘要

研究了同步对称双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)的沟道电势,利用表面电势边界方程联合Lambert W函数推导得到了器件沟道电势的解析模型.该模型考虑了IGZO薄膜中存在深能态及带尾态等缺陷态密度,能够同时精确地描述器件在亚阈区(sub-threshold)与开启区(above threshold)的电势分布.基于所提出的双栅IGZO TFT模型,讨论了不同厚度的栅介质层和有源层时,栅-源电压对双栅IGZO TFT的表面势以及中心势的调制效应.对比分析了该模型的计算值与数值模拟值,结果表明二者具有较高的符合程度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄生祥	中南大学物理与电子学院	34	139	7.0	10.0
2	邓联文	中南大学物理与电子学院	60	206	7.0	8.0
3	廖聪维	中南大学物理与电子学院	11	17	2.0	4.0
4	于天宝	中南大学物理与电子学院	3	1	1.0	1.0
5	覃婷	中南大学物理与电子学院	4	1	1.0	1.0