晶体管栅形状对单粒子瞬态脉冲特性的影响研究

• 作者: 岳素格 张晓晨 王亮 赵馨远
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子瞬态脉冲 瞬态脉宽 环形栅 寄生双极放大效应
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 语种: 中文

摘要

通过三维器件模拟仿真，研究了基于CMOS 0．18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构 MOS晶体管的单粒子瞬态响应．研究结果表明，单粒子轰击条形栅器件与环形栅器件产生的单粒子瞬态脉冲特性具有非常大的区别．分析了栅形状对单粒子瞬态的影响在 PMOS和NMOS器件中的不同机理，对单粒子瞬态加固设计具有指导性意义．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳素格	北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心	28	96	5.0	8.0
2	王亮	北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心	9	31	3.0	5.0
3	张晓晨	北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心	3	5	1.0	2.0
4	赵馨远	北京微电子技术研究所抗辐射加固工程中心	1	4	1.0	1.0