NMOS晶体管的退火特性研究

• 作者: 何宝平 姚育娟 姜景和 张正选 彭宏论
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 等温退火 等时退火 退火偏置
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 481-486
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.06.001

摘要

探讨了加固型CC4007经60Co γ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系.经相同总剂量辐照的器件,高温100 ℃下的退火速度远大于室温25 ℃下的退火速度.25～250 ℃下的等时退火,其退火程度接近168 h的100 ℃等温退火.对不同的退火情况,退火偏置的作用是相似的,+5 V栅偏压退火速度大于0 V栅偏压和浮空退火速度.对氧化物陷阱电荷的退火及界面态陷阱的产生机理进行了分析,并对加速实验方法进行了初步探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	彭宏论		11	80	5.0	8.0
3	姚育娟		10	48	4.0	6.0
4	张正选		21	88	5.0	8.0
5	姜景和		18	78	6.0	7.0