单电子晶体管I-V特性数学建模

• 作者: 孙铁署 蔡理 陈学军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单电子晶体管 数学模型 隧穿电流 跨导
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 76-78
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.09.020

摘要

基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型.该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用.I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡理	空军工程大学工程学院	136	382	8.0	11.0
2	孙铁署	空军工程大学工程学院	5	23	2.0	4.0
3	陈学军	空军工程大学工程学院	8	25	3.0	5.0