背景电荷对单电子晶体管性能的影响及解决方法

• 作者: 蔡理 陈学军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单电子晶体管 I-V特性 背景电荷
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 页码范围: 176-178
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.10.048

摘要

在分析单电子晶体管(Single Electron Transistro,SET)I-V特性基础上,阐明了背景电荷对SET I-VGS特性和I-VDS特性的影响,并针对SET工作的不同情况,提出了解决背景电荷问题的几种不同方法.举例说明了其中的一种抑制SET积分器电路背景电荷的方法,仿真结果证实了其有效性.文中所提出的解决背景电荷问题的方法同样适用于其它SET电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
2	陈学军	空军工程大学理学院	8	25	3.0	5.0