单电子晶体管I-V特性数值分析

• 作者: 庄奕琪 杜磊 江文平
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑台阶 主方程
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 153-156,168
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 3870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.002

摘要

在单电子晶体管的正统理论的基础上,建立了平稳条件下I-V特性的数值分析方法.应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I-V特性的影响,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响,分析了单电子现象产生的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学技术物理学院	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
3	江文平	西安电子科技大学技术物理学院	1	0	0.0	0.0